图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 标准包装 | 3,000 |
| 当前 - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60µA @ 10V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 当前 Drain (Id) - Max | 1mA |
| FET 型 | N-Channel |
| - 击穿电压 (V(BR)GSS) | - |
| 电压 - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1.7pF @ 10V |
| 电阻 - RDS（ON） | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 60µA @ 10V |
| 供应商设备封装 | 3-CP |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1.5V @ 1µA |
| 漏极电流（Id ） - 最大 | 1mA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1.7pF @ 10V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 40 V |
| 连续漏极电流 | 1 mA |
| 栅源截止电压 | - 1.2 V |
| 漏极电流ID - 最大 | 1 mA |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 55 uA |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输入电容 | 1.7 pF |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current | 1 mA |
| 系列 | 2SK545 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 40 V |
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